Examinando por Autor "Aguirre, Pedro"

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    Gelation of n3p3[nh(ch2)3si(oet)3]6-n [x]n x = nh(ch2)3si(oet)3, nch3(ch2)3cn and oc6h4(ch2)cn, n = 0 or 3 at the liquid/air/interface
    (Sociedad Chilena de Química, 2010) Díaz, Carlos; Valenzuela, María Luisa; Yutronic, Nicolás; Aguirre, Pedro
    The compounds N3P3[NH(CH2)3Si(OEt)3]6 (1), N3P3[NH(CH2)3Si(OEt)3]3[NCH3(CH2)3CN]3 (2) and N3P3[NH(CH2)3Si(OEt)3]3 [HOC6H4(CH2)CN]3 (3) undergo slow gelation at the interface oil/air at low temperatures to give perfect gels G1, G2 and G3 respective ly. TEM analysis reveals nanoparticles of silica with mean size of about 10 nm. Pyrolysis under air at 800 °C of these gels affords a mixture of mainly Si5(PO4)6O, SiP2O7 and SiO2. Gelation and pyrolysis products were characterized by IR, solid-state NMR, TEM, SEM-EDAX microscopy and X-ray diffraction. The sol-gel process in the interface liquid /air is discussed in comparison with the usual sol-gel solution process.
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    Sol-gel incorporation of organometallic compounds into silica: useful precursors to metallic nanostructured materials
    (Sociedad Chilena de Química, 2012) Diaz, Carlos; Valenzuela, Maria Luisa; Garrido, Denisse; Aguirre, Pedro
    La inclusión del MLN organometálica = HOC 6 H 4 CH 2 CN • Mo (CO) 5 (6) en sílice amorfa con los precursores TEOS gelificante y N 3 P 3 {NH [CH 2 ] 3 Si [OEt] 3 } 6 permitirse los geles (MLN) ( SiO 2 ) n . Los nanocompuestos híbridos inorgánicos-orgánicos se piroliza bajo aire a 800 º C para dar óxidos nanoestructurados metálicos y / o pirofosfatos de metal (fosfatos) incluidos en las matrices de sílice. La morfología de los nanocompuestos monolíticas exhiben una fuerte dependencia con el precursor del gel utilizado es principalmente laminar para aquellos preparados utilizando N 3 P 3 {NH [CH 2 ] 3 Si [OEt] 3 } como gelificante. Las imágenes de TEM muestran la forma y tamaño diferentes, tales como nanopartículas circulares, nanocables y aglomerados en algunos casos con tamaños de 20 nm para las nanoestructuras circulares y de diámetro aproximadamente 25 nm para los nanocables.